用于GAA CMOS技术的集成应变SiGe沟道PMOS

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380051279.3

申请日：

2023-07-10

公开(公告)号：

CN119404611A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

杨世海乔迪·A·弗龙海尔本杰明·科伦坡 B·普拉纳瑟提哈兰埃尔·迈赫迪·巴齐兹阿希什·派欧

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/27 H01L21/02 H01L21/311

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20230710

共 50 条

[1]

应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105244319A ,2016-01-13

[2]

基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105140185A ,2015-12-09

[3]

用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法 [P].

于奇 ;

宁宁 ;

王向展 ;

杜江峰 ;

杨洪东 ;

李竞春 .

中国专利 :CN101969047A ,2011-02-09

[4]

在先进CMOS技术中应变Ge的集成 [P].

尚慧玲 ;

M·艾昂 ;

J·O·舒 ;

K·W·古亚里尼 .

中国专利 :CN100481490C ,2007-04-25

[5]

用于形成应变沟道PMOS器件的方法以及由该方法形成的集成电路 [P].

A·简 .

中国专利 :CN101925987B ,2010-12-22

[6]

用于CMOS的双轴向拉伸应变的Ge沟道 [P].

P·马吉 ;

N·慕克吉 ;

R·皮拉里塞 ;

W·拉赫马迪 ;

R·S·周 .

中国专利 :CN106062953B ,2016-10-26

[7]

用于沟道应变的锗分布 [P].

宋学昌 ;

郭紫微 ;

李昆穆 ;

李资良 ;

李启弘 .

中国专利 :CN104733513B ,2015-06-24

[8]

SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

李妤晨 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723339A ,2012-10-10

[9]

一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

周春宇 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102832218B ,2012-12-19

[10]

一种SOI应变SiGe CMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

王海栋 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738179B ,2012-10-17

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