用于形成应变沟道PMOS器件的方法以及由该方法形成的集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980102702.8

申请日：

2009-01-21

公开(公告)号：

CN101925987B

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

A·简

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

赵蓉民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058314747 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009801027028 申请日:20090121
2010-12-22	公开	公开
2012-03-14	授权	授权

共 50 条

[1]

集成电路器件的形成方法及由该方法形成的集成电路器件 [P].

李宰求 ;

高宽协 .

中国专利 :CN1314707A ,2001-09-26

[2]

集成电路以及形成集成电路的方法 [P].

王鹏飞 .

中国专利 :CN101211921A ,2008-07-02

[3]

集成电路器件以及形成集成电路器件的方法 [P].

张富宸 ;

涂国基 ;

朱文定 .

中国专利 :CN111129069B ,2020-05-08

[4]

形成集成电路器件的方法 [P].

孙昌佑 ;

宋昇炫 ;

金善培 ;

吴旼哲 ;

郑荣采 .

中国专利 :CN112652580A ,2021-04-13

[5]

集成电路以及形成集成电路的方法 [P].

T.黑尔姆 ;

M.普罗布斯特 ;

U.鲁道夫 .

中国专利 :CN103219277B ,2013-07-24

[6]

集成电路以及形成集成电路的方法 [P].

吕文祯 ;

谢明昌 ;

陈益民 .

中国专利 :CN111081638B ,2020-04-28

[7]

集成电路器件和形成集成电路器件的方法 [P].

梁明 ;

徐康一 ;

尹承燦 .

韩国专利 :CN119835998A ,2025-04-15

[8]

形成集成电路结构的方法 [P].

袁锋 ;

李宗霖 ;

陈宏铭 ;

张长昀 .

中国专利 :CN102054741A ,2011-05-11

[9]

集成电路器件和形成其的方法 [P].

李钟振 ;

金泰善 ;

洪元赫 ;

尹承灿 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN117747539A ,2024-03-22

[10]

形成集成电路结构的方法以及集成电路 [P].

黄麟淯 ;

游力蓁 ;

王圣璁 ;

游家权 ;

张家豪 ;

林天禄 ;

林佑明 ;

王志豪 .

中国专利 :CN111092053A ,2020-05-01

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