集成电路器件以及形成集成电路器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911042878.0

申请日：

2019-10-30

公开(公告)号：

CN111129069B

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

张富宸涂国基朱文定

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2724

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20191030
2020-05-08	公开	公开
2022-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

集成电路MOSFET器件以及集成电路 [P].

杨延诚 .

中国专利 :CN215377418U ,2021-12-31

[2]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

李真旭 ;

闵淙渶 ;

郑圭镐 ;

朴晙晳 ;

白智叡 ;

李叡璱 .

韩国专利 :CN119545789A ,2025-02-28

[3]

集成电路器件和形成集成电路器件的方法 [P].

梁明 ;

徐康一 ;

尹承燦 .

韩国专利 :CN119835998A ,2025-04-15

[4]

集成电路器件以及用于制造集成电路器件的方法 [P].

Z·王 .

中国专利 :CN104798199A ,2015-07-22

[5]

集成电路器件 [P].

金亮阧 ;

朴相郁 ;

徐旻揆 ;

李建烨 ;

李到瑾 ;

洪定杓 .

韩国专利 :CN117641896A ,2024-03-01

[6]

集成电路器件 [P].

李睿璱 ;

闵淙渶 ;

郑圭镐 ;

朴晙晰 ;

白智睿 ;

李真旭 .

韩国专利 :CN119562758A ,2025-03-04

[7]

集成电路器件 [P].

金世渶 ;

金多希 ;

宋鸿善 ;

李旺坤 ;

郑淑真 ;

金范宗 .

韩国专利 :CN119947127A ,2025-05-06

[8]

集成电路器件 [P].

金润洙 ;

柳承旻 ;

禹昌秀 ;

丁炯硕 ;

曹圭镐 ;

曹仑廷 .

韩国专利 :CN110931468B ,2024-05-07

[9]

集成电路器件 [P].

郑圭镐 ;

闵淙渶 ;

白智睿 ;

李睿璱 ;

李真旭 ;

崔原湜 .

韩国专利 :CN117355133A ,2024-01-05

[10]

集成电路器件 [P].

林汉镇 ;

朴正敏 .

韩国专利 :CN117673024A ,2024-03-08

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