一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210244396.5

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN102832218B

公开(公告)日：

2012-12-19

发明(设计)人：

宋建军胡辉勇王斌张鹤鸣宣荣喜舒斌周春宇郝跃

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238 H01L29423 H01L2128

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101422525699 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2012102443965 申请日:20120716
2016-09-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101677709799 IPC(主分类):H01L 27/092 专利号:ZL2012102443965 申请日:20120716 授权公告日:20150304 终止日期:20150716
2015-03-04	授权	授权
2012-12-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SOI应变SiGe CMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

王海栋 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738179B ,2012-10-17

[2]

一种应变SiGe垂直回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

李妤晨 ;

王斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102820297A ,2012-12-12

[3]

一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

王海栋 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102800672A ,2012-11-28

[4]

一种SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

周春宇 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738156B ,2012-10-17

[5]

一种应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

宋建军 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

王斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738150A ,2012-10-17

[6]

一种基于三多晶SiGe HBT的应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

李妤晨 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751281A ,2012-10-24

[7]

一种SiGe基应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

周春宇 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751288A ,2012-10-24

[8]

一种SOI应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

李妤晨 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723337A ,2012-10-10

[9]

应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 .

中国专利 :CN104992930A ,2015-10-21

[10]

应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105244319A ,2016-01-13

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