一种增强硅基成像器件CCD或者CMOS器件红外响应的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410055682.6

申请日：

2014-02-19

公开(公告)号：

CN103794563A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

金蔚余聪聪

申请人：

申请人地址：

610299 四川省双流县东升棠中路二段87号5栋1单元6号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

成都中亚专利代理有限公司 51126

代理人：

王岗

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20140219 授权公告日:20170606 终止日期:20180219
2014-05-14	公开	公开
2017-06-06	授权	授权
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582901640 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2014100556826 申请日:20140219

共 50 条

[1]

增强硅基成像器件紫外响应无机薄膜的制备方法 [P].

张大伟 ;

刘猛 ;

田鑫 ;

倪争技 ;

黄元申 ;

庄松林 .

中国专利 :CN101345271A ,2009-01-14

[2]

一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件 [P].

刘猛 ;

张大伟 ;

田鑫 ;

倪争技 ;

黄元申 ;

庄松林 .

中国专利 :CN201270249Y ,2009-07-08

[3]

增强硅基成像器件紫外响应的有机金属薄膜制备方法 [P].

张大伟 ;

田鑫 ;

刘猛 ;

倪争技 ;

黄元申 ;

庄松林 .

中国专利 :CN101339920B ,2009-01-07

[4]

一种具有紫外响应的硅基成像器件 [P].

田鑫 ;

张大伟 ;

刘猛 ;

倪争技 ;

黄元申 ;

庄松林 .

中国专利 :CN201247776Y ,2009-05-27

[5]

一种硅基成像器件 [P].

李阳 .

中国专利 :CN202839614U ,2013-03-27

[6]

一种硅基成像器件 [P].

李阳 .

中国专利 :CN103456748A ,2013-12-18

[7]

一种具有复合应变沟道的CMOS器件 [P].

王向展 ;

杜江峰 ;

杨洪东 ;

李竞春 ;

于奇 ;

全冯溪 .

中国专利 :CN101859772A ,2010-10-13

[8]

用于增强硅基成像器件对紫外响应的量子点光转换膜的制备方法和用途 [P].

李阳 ;

张志坤 ;

刘江国 .

中国专利 :CN102683369A ,2012-09-19

[9]

一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN121126857A ,2025-12-12

[10]

一种器件的制备方法及其结构 [P].

欧欣 ;

孙嘉良 ;

林家杰 ;

游天桂 .

中国专利 :CN114530421B ,2025-07-01

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