一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820152199.X

申请日：

2008-08-21

公开(公告)号：

CN201270249Y

公开(公告)日：

2009-07-08

发明(设计)人：

刘猛张大伟田鑫倪争技黄元申庄松林

申请人：

申请人地址：

200093上海市军工路516号

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L27148 H01L3109 H01L310232

代理机构：

上海东创专利代理事务所

代理人：

宁芝华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101127310891 IPC(主分类):H01L 27/146 专利号:ZL200820152199X 申请日:20080821 授权公告日:20090708 终止日期:20100821
2009-09-02	著录事项变更	著录事项变更变更事项:发明人变更前:刘猛;张大伟;田鑫;倪争技;黄元申;庄松林变更后:刘猛;皮道锐;杜文超;张大伟;田鑫;倪争技;黄元申;庄松林
2009-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

增强硅基成像器件紫外响应无机薄膜的制备方法 [P].

张大伟 ;

刘猛 ;

田鑫 ;

倪争技 ;

黄元申 ;

庄松林 .

中国专利 :CN101345271A ,2009-01-14

[2]

一种具有紫外响应的硅基成像器件 [P].

田鑫 ;

张大伟 ;

刘猛 ;

倪争技 ;

黄元申 ;

庄松林 .

中国专利 :CN201247776Y ,2009-05-27

[3]

增强硅基成像器件紫外响应的有机金属薄膜制备方法 [P].

张大伟 ;

田鑫 ;

刘猛 ;

倪争技 ;

黄元申 ;

庄松林 .

中国专利 :CN101339920B ,2009-01-07

[4]

一种增强硅基成像器件CCD或者CMOS器件红外响应的方法 [P].

金蔚 ;

余聪聪 .

中国专利 :CN103794563A ,2014-05-14

[5]

一种硅基成像器件 [P].

李阳 .

中国专利 :CN202839614U ,2013-03-27

[6]

一种硅基成像器件 [P].

李阳 .

中国专利 :CN103456748A ,2013-12-18

[7]

用于增强硅基成像器件对紫外响应的量子点光转换膜的制备方法和用途 [P].

李阳 ;

张志坤 ;

刘江国 .

中国专利 :CN102683369A ,2012-09-19

[8]

一种基于硅基液晶的增强现实眼镜 [P].

王立军 .

中国专利 :CN206039044U ,2017-03-22

[9]

一种基于硅基AWG的接收光器件 [P].

方文银 ;

彭开盛 .

中国专利 :CN221041138U ,2024-05-28

[10]

一种硅基液晶器件 [P].

李爱源 ;

熊培成 ;

吴梓荣 ;

陈嵘 ;

洪俊斌 .

中国专利 :CN212905812U ,2021-04-06

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