具有带电介质插塞的切割金属栅极的集成电路结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510158972.1

申请日：

2025-02-13

公开(公告)号：

CN120659369A

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

R·巴亚提 M·普林斯 M·艾尔金斯孟令瑶彭筱琦 A·阿诺德

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H10D64/68

IPC分类号：

H10D30/60 H10D30/62 H10D84/85 H01L21/762

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

才卓;吕传奇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	公开	公开

共 50 条

[1]

具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构 [P].

M·K·哈兰 ;

M·哈桑 ;

T·加尼 ;

A·S·默西 .

美国专利 :CN121174600A ,2025-12-19

[2]

具有着落在电介质虚设鳍状物上的金属栅极插塞的集成电路结构 [P].

G·布歇 ;

A·C-H·魏 .

美国专利 :CN117581367A ,2024-02-20

[3]

具有电介质锚定物空隙的集成电路结构 [P].

L·P·古勒尔 ;

C·H·华莱士 ;

T·加尼 .

美国专利 :CN117727760A ,2024-03-19

[4]

具有共用金属栅极并且具有带有偶极子层的栅极电介质的环绕栅集成电路结构的制造 [P].

D·S·拉夫里克 ;

D·M·克鲁姆 ;

O·戈隆茨卡 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN114256236A ,2022-03-29

[5]

具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构的制造 [P].

D·S·拉弗里克 ;

D·M·克鲁姆 ;

O·萨达特 ;

O·戈隆兹卡 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN114256238A ,2022-03-29

[6]

具有电介质锚和受限外延源极或漏极结构的集成电路结构 [P].

L·P·古勒尔 ;

T·加尼 ;

C·H·华莱士 ;

M·K·哈兰 ;

M·哈桑 ;

A·纳瓦比-设拉子 ;

A·B·加德纳 .

美国专利 :CN117727759A ,2024-03-19

[7]

用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P].

J·S·莱布 ;

J·胡 ;

A·达斯古普塔 ;

M·L·哈藤多夫 ;

C·P·奥特 .

美国专利 :CN109860185B ,2025-08-22

[8]

用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P].

J·S·莱布 ;

J·胡 ;

A·达斯古普塔 ;

M·L·哈藤多夫 ;

C·P·奥特 .

中国专利 :CN109860185A ,2019-06-07

[9]

用于CMOS集成电路的替代金属栅极工艺 [P].

H·新见 ;

S-C·宋 .

中国专利 :CN103824811A ,2014-05-28

[10]

带棱锥形沟道结构的具有用于桶状栅极的均匀栅格金属栅极和沟槽接触插塞的集成电路结构 [P].

D·S·拉夫里克 ;

许劭铭 ;

A·S·默西 ;

M·J·科布林斯基 .

美国专利 :CN118676145A ,2024-09-20

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