掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910099995.0

申请日：

2009-06-24

公开(公告)号：

CN101597791A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

杨德仁余学功阙端麟

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C30B2806

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司

代理人：

胡红娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-09	公开	公开
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183765633 IPC(主分类):C30B 28/06 专利申请号:2009100999950 公开日:20091209

共 50 条

[1]

掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 [P].

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101591807A ,2009-12-02

[2]

氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法 [P].

杨德仁 ;

余学功 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN101597790A ,2009-12-09

[3]

掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 [P].

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101591808A ,2009-12-02

[4]

一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅 [P].

杨德仁 ;

朱鑫 ;

汪雷 ;

席珍强 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN100570020C ,2007-07-11

[5]

在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法 [P].

杨德仁 ;

余学功 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN101597792A ,2009-12-09

[6]

多晶硅及其铸造方法 [P].

八木大地 ;

安部贵裕 .

中国专利 :CN104169475A ,2014-11-26

[7]

多晶硅定向凝固装置 [P].

谭毅 ;

温书涛 ;

陈磊 ;

袁涛 .

中国专利 :CN103351002A ,2013-10-16

[8]

一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法 [P].

高向瞳 ;

赵百通 .

中国专利 :CN101898763A ,2010-12-01

[9]

用于多晶硅制备的定向凝固机构 [P].

羊实 ;

庹开正 .

中国专利 :CN209010634U ,2019-06-21

[10]

通过定向凝固制备铸造硅的方法 [P].

J·陈 ;

A·德什潘德 .

中国专利 :CN104203845A ,2014-12-10

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