在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910099996.5

申请日：

2009-06-24

公开(公告)号：

CN101597792A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

杨德仁余学功阙端麟

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C30B2806

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司

代理人：

胡红娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-09	公开	公开
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-06-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101389527080 IPC(主分类):C30B 28/06 专利申请号:2009100999965 公开日:20091209

共 50 条

[1]

氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法 [P].

杨德仁 ;

余学功 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN101597790A ,2009-12-09

[2]

在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法 [P].

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101597787B ,2009-12-09

[3]

在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法 [P].

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101597788B ,2009-12-09

[4]

掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法 [P].

杨德仁 ;

余学功 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN101597791A ,2009-12-09

[5]

多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法 [P].

李立本 ;

杨德仁 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1190527C ,2003-06-11

[6]

掺氮P型硅母合金及制备方法、掺氮多晶硅锭及制备方法 [P].

李煜燚 ;

翟传鑫 ;

李飞龙 ;

熊震 ;

朱军 .

中国专利 :CN112251805A ,2021-01-22

[7]

多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法和多晶硅锭的铸造方法 [P].

矶村敬一郎 ;

山崎宽司 ;

齐藤刚 .

中国专利 :CN103225105A ,2013-07-31

[8]

掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 [P].

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101591807A ,2009-12-02

[9]

氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法 [P].

杨德仁 ;

李立本 ;

田达晰 ;

马向阳 ;

沈益军 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1190529C ,2003-06-11

[10]

多晶硅锭制造方法、多晶硅锭的用途的制造方法和多晶硅锭 [P].

大石隆一 .

中国专利 :CN106794993A ,2017-05-31

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