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在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200910099992.7
申请日：
2009-06-24
公开(公告)号：
CN101597788B
公开(公告)日：
2009-12-09
发明(设计)人：
余学功 杨德仁
申请人：
申请人地址：
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
IPC主分类号：
C30B1100
IPC分类号：
C30B2700 C30B2906
代理机构：
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224
代理人：
胡红娟
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2011-12-07 授权 授权
2009-12-09 公开 公开
2010-02-03 实质审查的生效 实质审查的生效
2012-05-23 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 专利实施许可合同备案的生效 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101356335498 IPC(主分类):C30B 11/00 专利申请号:2009100999927 专利号:ZL2009100999927 合同备案号:2012330000134 让与人:浙江大学 受让人:江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 发明名称:在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法 申请日:20090624 公开日:20091209 授权公告日:20111207 许可种类:独占许可 备案日期:20120401
共 50 条
[1]
在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法 [P]. 
余学功 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN101597787B ,2009-12-09
[2]
氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法 [P]. 
杨德仁 ;
余学功 ;
阙端麟 .
中国专利 :CN101597790A ,2009-12-09
[3]
在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法 [P]. 
杨德仁 ;
余学功 ;
阙端麟 .
中国专利 :CN101597792A ,2009-12-09
[4]
掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 [P]. 
余学功 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN101591807A ,2009-12-02
[5]
掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 [P]. 
余学功 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN101591808A ,2009-12-02
[6]
多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法 [P]. 
李立本 ;
杨德仁 ;
阙端麟 .
中国专利 :CN1190527C ,2003-06-11
[7]
多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及单晶硅 [P]. 
宫尾秀一 ;
祢津茂义 ;
冈田哲郎 .
中国专利 :CN106255663B ,2016-12-21
[8]
多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法 [P]. 
宫尾秀一 ;
祢津茂义 ;
星野成大 ;
冈田哲郎 .
中国专利 :CN107954427A ,2018-04-24
[9]
掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法 [P]. 
杨德仁 ;
余学功 ;
阙端麟 .
中国专利 :CN101597791A ,2009-12-09
[10]
铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅 [P]. 
雷琦 ;
何新根 ;
李小平 ;
李建敏 ;
何亮 ;
邹贵付 ;
甘胜泉 ;
程小娟 .
中国专利 :CN112376111B ,2021-02-19
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