在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910099990.8

申请日：

2009-06-24

公开(公告)号：

CN101597787B

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

余学功杨德仁

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2700 C30B2906

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20090624 授权公告日:20110914 终止日期:20180624
2011-09-14	授权	授权
2009-12-09	公开	公开
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法 [P].

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101597788B ,2009-12-09

[2]

在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法 [P].

杨德仁 ;

余学功 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN101597792A ,2009-12-09

[3]

掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 [P].

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101591807A ,2009-12-02

[4]

锑氮共掺单晶硅的制备方法和锑氮共掺单晶硅 [P].

张玲玲 ;

张华利 ;

周声浪 ;

陈宗霆 ;

宋亚飞 ;

周洁 .

中国专利 :CN119753822A ,2025-04-04

[5]

氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法 [P].

杨德仁 ;

余学功 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN101597790A ,2009-12-09

[6]

掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 [P].

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN101591808A ,2009-12-02

[7]

氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法 [P].

杨德仁 ;

李立本 ;

田达晰 ;

马向阳 ;

沈益军 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1190529C ,2003-06-11

[8]

掺氮单晶硅棒及其生产方法 [P].

刘学 ;

武志军 ;

张全顺 ;

刘伟 ;

张文霞 ;

谷守伟 ;

李建弘 ;

高树良 ;

张雪囡 .

中国专利 :CN109518269A ,2019-03-26

[9]

铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅 [P].

雷琦 ;

何新根 ;

李小平 ;

李建敏 ;

何亮 ;

邹贵付 ;

甘胜泉 ;

程小娟 .

中国专利 :CN112376111B ,2021-02-19

[10]

铸造单晶硅用隔热底板、铸造单晶硅生长设备及铸造单晶硅的制备方法 [P].

黄美玲 ;

明亮 ;

段金刚 ;

邱昊 ;

刘福刚 .

中国专利 :CN109097829A ,2018-12-28

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