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一种半导体表面的刻蚀方法
被引：0
申请号：
CN202110123487.2
申请日：
2021-01-28
公开(公告)号：
CN114823316A
公开(公告)日：
2022-07-29
发明(设计)人：
杨圣合
申请人：
申请人地址：
523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
IPC主分类号：
H01L21306
IPC分类号：
H01J3732
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
郝传鑫
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-07-29 | 公开 | 公开 |