一种MOSFET封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821419307.5

申请日：

2018-08-31

公开(公告)号：

CN208873714U

公开(公告)日：

2019-05-17

发明(设计)人：

葛诗方葛俊华吴云霞

申请人：

申请人地址：

315609 浙江省宁波市宁海县梅林镇何家村1组108号

IPC主分类号：

H01L2340

IPC分类号：

H01L23367

代理机构：

宁波诚源专利事务所有限公司 33102

代理人：

刘凤钦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-17	授权	授权
2020-08-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/40 申请日:20180831 授权公告日:20190517 终止日期:20190831

共 50 条

[1]

一种MOSFET封装结构 [P].

郭力 .

中国专利 :CN215418164U ,2022-01-04

[2]

MOSFET封装结构 [P].

于大全 ;

肖智轶 ;

崔志勇 ;

耿增华 .

中国专利 :CN205789951U ,2016-12-07

[3]

一种MOSFET封装结构 [P].

田园农 .

中国专利 :CN211743131U ,2020-10-23

[4]

MOSFET封装结构 [P].

于大全 ;

耿增华 ;

翟玲玲 ;

崔磊 ;

沈歆煜 .

中国专利 :CN205488107U ,2016-08-17

[5]

无引脚MOSFET封装结构 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN202796919U ,2013-03-13

[6]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792766U ,2015-11-18

[7]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204857708U ,2015-12-09

[8]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792769U ,2015-11-18

[9]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792770U ,2015-11-18

[10]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792802U ,2015-11-18

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