一种MOSFET芯片封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520531898.5

申请日：

2015-07-21

公开(公告)号：

CN204857708U

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

曹凯谢皆雷罗立辉吴超

申请人：

申请人地址：

315327 浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区中横路18号

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L23488

代理机构：

余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239

代理人：

胡小永

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792766U ,2015-11-18

[2]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792769U ,2015-11-18

[3]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792770U ,2015-11-18

[4]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792802U ,2015-11-18

[5]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

张哲民 ;

肖步文 .

中国专利 :CN222581151U ,2025-03-07

[6]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

吉炜 .

中国专利 :CN221687524U ,2024-09-10

[7]

一种超薄MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204741017U ,2015-11-04

[8]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[9]

一种垂直型MOSFET芯片的封装结构 [P].

张黎 .

中国专利 :CN218274584U ,2023-01-10

[10]

一种MOSFET封装结构 [P].

葛诗方 ;

葛俊华 ;

吴云霞 .

中国专利 :CN208873714U ,2019-05-17

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