双芯片功率MOSFET封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021722006.7

申请日：

2020-08-18

公开(公告)号：

CN212517178U

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

张开航马云洋

申请人：

申请人地址：

215011 江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼

IPC主分类号：

H01L23373

IPC分类号：

H01L23367 H01L2349 H01L2331 H01L2518

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

双芯片高可靠性MOSFET器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517175U ,2021-02-09

[2]

一种功率MOSFET双芯片封装结构 [P].

党晓军 ;

董建新 ;

衷世雄 .

中国专利 :CN221008945U ,2024-05-24

[3]

功率MOSFET芯片的DFN封装结构 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN102842550A ,2012-12-26

[4]

功率MOS的封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517179U ,2021-02-09

[5]

一种功率MOSFET芯片的封装结构 [P].

林仲康 ;

汤广福 ;

吴军民 ;

金锐 ;

唐新灵 ;

韩荣刚 ;

王亮 ;

杜玉杰 ;

周扬 .

中国专利 :CN111477683A ,2020-07-31

[6]

功率MOSFET半桥模块以及封装结构 [P].

杨小川 ;

李彦莹 ;

路笑 .

中国专利 :CN211508926U ,2020-09-15

[7]

双芯片封装结构 [P].

谢光晶 ;

盛锋 ;

王青松 ;

李晖 .

中国专利 :CN222734979U ,2025-04-08

[8]

大功率MOSFET的扇出形封装结构 [P].

刘义芳 .

中国专利 :CN206497883U ,2017-09-15

[9]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204792766U ,2015-11-18

[10]

一种MOSFET芯片封装结构 [P].

曹凯 ;

谢皆雷 ;

罗立辉 ;

吴超 .

中国专利 :CN204857708U ,2015-12-09

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