双芯片高可靠性MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021721984.X

申请日：

2020-08-18

公开(公告)号：

CN212517175U

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

张开航马云洋

申请人：

申请人地址：

215011 江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼

IPC主分类号：

H01L23373

IPC分类号：

H01L23367 H01L2349 H01L2331 H01L2518

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

高可靠性MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN217507342U ,2022-09-27

[2]

高可靠性的SiC MOSFET器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN222051772U ,2024-11-22

[3]

高可靠性功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

刘玉龙 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN208538826U ,2019-02-22

[4]

高可靠性整流器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

刘玉龙 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN208538849U ,2019-02-22

[5]

高可靠性功率器件 [P].

吴炆皜 ;

何洪运 ;

郝艳霞 .

中国专利 :CN215578511U ,2022-01-18

[6]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[7]

高可靠性的功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN212750868U ,2021-03-19

[8]

高可靠性表面安装器件 [P].

罗伟忠 ;

华国铭 ;

张建平 .

中国专利 :CN103972272A ,2014-08-06

[9]

高可靠性半导体器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN211957635U ,2020-11-17

[10]

高可靠性致冷芯片 [P].

赵丽妍 .

中国专利 :CN206921867U ,2018-01-23

← 1 2 3 4 5 →