一种功率MOSFET双芯片封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322493901.6

申请日：

2023-09-13

公开(公告)号：

CN221008945U

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

党晓军董建新衷世雄

申请人：

上海韦尔半导体股份有限公司

申请人地址：

200120 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层

IPC主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/31 H01L25/07

代理机构：

深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684

代理人：

张海燕

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	授权	授权

共 50 条

[1]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[2]

一种功率MOSFET芯片的封装结构 [P].

林仲康 ;

汤广福 ;

吴军民 ;

金锐 ;

唐新灵 ;

韩荣刚 ;

王亮 ;

杜玉杰 ;

周扬 .

中国专利 :CN111477683A ,2020-07-31

[3]

功率MOSFET芯片的DFN封装结构 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN102842550A ,2012-12-26

[4]

一种双芯片封装结构 [P].

高潮 ;

黄素娟 .

中国专利 :CN204538022U ,2015-08-05

[5]

MOSFET功率封装 [P].

李文清 ;

骆建仁 ;

龚德梅 .

中国专利 :CN101064300A ,2007-10-31

[6]

双芯片封装结构 [P].

洪奇正 ;

黄鹏如 .

中国专利 :CN108511427A ,2018-09-07

[7]

双芯片封装结构 [P].

洪奇正 .

中国专利 :CN109935578A ,2019-06-25

[8]

双芯片封装结构 [P].

谢光晶 ;

盛锋 ;

王青松 ;

李晖 .

中国专利 :CN222734979U ,2025-04-08

[9]

一种半导体功率器件双芯片混合封装结构 [P].

谢晓东 .

中国专利 :CN205004333U ,2016-01-27

[10]

功率MOSFET的晶片级芯片规模封装 [P].

冯涛 ;

孙明 .

中国专利 :CN101221915B ,2008-07-16

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