功率MOSFET芯片的DFN封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210302426.3

申请日：

2012-08-23

公开(公告)号：

CN102842550A

公开(公告)日：

2012-12-26

发明(设计)人：

胡乃仁杨小平李国发钟利强

申请人：

申请人地址：

215153 江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101393727913 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2012103024263 申请日:20120823
2015-12-16	授权	授权
2012-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[2]

整流芯片的DFN封装结构 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN203118935U ,2013-08-07

[3]

一种功率MOSFET芯片的封装结构 [P].

林仲康 ;

汤广福 ;

吴军民 ;

金锐 ;

唐新灵 ;

韩荣刚 ;

王亮 ;

杜玉杰 ;

周扬 .

中国专利 :CN111477683A ,2020-07-31

[4]

DFN封装芯片的检测装置 [P].

彭兴义 .

中国专利 :CN114910770A ,2022-08-16

[5]

一种功率MOSFET双芯片封装结构 [P].

党晓军 ;

董建新 ;

衷世雄 .

中国专利 :CN221008945U ,2024-05-24

[6]

功率MOSFET的晶片级芯片规模封装 [P].

冯涛 ;

孙明 .

中国专利 :CN101221915B ,2008-07-16

[7]

大功率MOSFET的扇出形封装结构 [P].

刘义芳 .

中国专利 :CN206497883U ,2017-09-15

[8]

MOSFET功率封装 [P].

李文清 ;

骆建仁 ;

龚德梅 .

中国专利 :CN101064300A ,2007-10-31

[9]

功率MOSFET的器件结构 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN202796931U ,2013-03-13

[10]

一种芯片的DFN双面散热封装结构及封装方法 [P].

方建军 ;

张明聪 ;

韩深 ;

李艳龙 ;

吕兰 ;

肖季 .

中国专利 :CN118737989A ,2024-10-01

← 1 2 3 4 5 →