MOSFET功率封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710089675.8

申请日：

2007-03-26

公开(公告)号：

CN101064300A

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

李文清骆建仁龚德梅

申请人：

申请人地址：

百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L2507 H01L23488 H01L23495

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

张静洁

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-31	公开	公开
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种功率MOSFET封装体及其封装方法 [P].

张江元 ;

柳丹娜 ;

李志宁 .

中国专利 :CN101859755B ,2010-10-13

[2]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[3]

功率MOSFET芯片的DFN封装结构 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN102842550A ,2012-12-26

[4]

功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺 [P].

丁浩宸 ;

杨超 ;

陈志阳 ;

徐彩云 .

中国专利 :CN114256172A ,2022-03-29

[5]

功率MOSFET [P].

B·J·巴利加 .

中国专利 :CN1211863C ,2003-10-08

[6]

功率MOSFET [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109585445A ,2019-04-05

[7]

功率MOSFET半桥模块以及封装结构 [P].

杨小川 ;

李彦莹 ;

路笑 .

中国专利 :CN211508926U ,2020-09-15

[8]

功率MOSFET [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

古一夫 .

中国专利 :CN204257661U ,2015-04-08

[9]

功率MOSFET的晶片级芯片规模封装 [P].

冯涛 ;

孙明 .

中国专利 :CN101221915B ,2008-07-16

[10]

一种功率MOSFET封装装置 [P].

刘官超 .

中国专利 :CN210607202U ,2020-05-22

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