功率MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01814460.8

申请日：

2001-06-05

公开(公告)号：

CN1211863C

公开(公告)日：

2003-10-08

发明(设计)人：

B·J·巴利加

申请人：

申请人地址：

美国北卡罗来纳州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2936 H01L29417 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-08	公开	公开
2007-08-08	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-07-20	授权	授权

共 50 条

[1]

功率MOSFET [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109585445A ,2019-04-05

[2]

功率MOSFET [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

古一夫 .

中国专利 :CN204257661U ,2015-04-08

[3]

功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法 [P].

O·布兰克 ;

M·胡茨勒 ;

D·拉福雷特 ;

C·乌夫拉尔 ;

R·西米尼克 ;

叶俐君 .

中国专利 :CN105261650A ,2016-01-20

[4]

沟槽功率MOSFET [P].

伍震威 ;

周学良 ;

柳瑞兴 ;

苏柏智 .

中国专利 :CN103456791A ,2013-12-18

[5]

垂直功率MOSFET [P].

江口聪司 ;

中泽芳人 ;

玉城朋宏 .

中国专利 :CN103915500A ,2014-07-09

[6]

MOSFET功率封装 [P].

李文清 ;

骆建仁 ;

龚德梅 .

中国专利 :CN101064300A ,2007-10-31

[7]

功率MOSFET和用于制造功率MOSFET的方法 [P].

A·格拉赫 .

中国专利 :CN108352405B ,2018-07-31

[8]

一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET [P].

党晓军 ;

董建新 ;

衷世雄 .

中国专利 :CN121174540A ,2025-12-19

[9]

超结功率MOSFET [P].

雷秀芳 ;

姜春亮 ;

赵浩宇 ;

李伟聪 ;

林泳浩 .

中国专利 :CN215731731U ,2022-02-01

[10]

功率MOSFET驱动电路 [P].

王顺兴 ;

陈家词 .

中国专利 :CN204304964U ,2015-04-29

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