一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410787966.8

申请日：

2024-06-18

公开(公告)号：

CN121174540A

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

党晓军董建新衷世雄

申请人：

上海韦尔半导体股份有限公司

申请人地址：

200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D64/27

代理机构：

深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684

代理人：

李磊

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种功率MOSFET版图及MOSFET [P].

薛华瑞 ;

董建新 .

中国专利 :CN120264855A ,2025-07-04

[2]

功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法 [P].

O·布兰克 ;

M·胡茨勒 ;

D·拉福雷特 ;

C·乌夫拉尔 ;

R·西米尼克 ;

叶俐君 .

中国专利 :CN105261650A ,2016-01-20

[3]

功率MOSFET [P].

B·J·巴利加 .

中国专利 :CN1211863C ,2003-10-08

[4]

功率MOSFET [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109585445A ,2019-04-05

[5]

功率MOSFET [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

古一夫 .

中国专利 :CN204257661U ,2015-04-08

[6]

功率MOSFET和用于制造功率MOSFET的方法 [P].

A·格拉赫 .

中国专利 :CN108352405B ,2018-07-31

[7]

一种SGT功率MOSFET的制备方法 [P].

郑远程 ;

石新欢 .

中国专利 :CN113972269A ,2022-01-25

[8]

功率MOSFET结构及方法 [P].

王培林 ;

E·D·德弗莱萨特 ;

李文漪 .

中国专利 :CN103426916B ,2013-12-04

[9]

一种功率MOSFET及其制备方法 [P].

李平 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN117790531A ,2024-03-29

[10]

一种功率MOSFET及其制备方法 [P].

周春宇 ;

王丹英 ;

贾仁需 ;

刘永 ;

梁昊春 ;

王冠宇 ;

徐超 ;

孙继浩 .

中国专利 :CN119486192A ,2025-02-18

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