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一种SGT功率MOSFET的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010723806.9
申请日：
2020-07-24
公开(公告)号：
CN113972269A
公开(公告)日：
2022-01-25
发明(设计)人：
郑远程
石新欢
申请人：
申请人地址：
215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号
IPC主分类号：
H01L29423
IPC分类号：
H01L21336
H01L2978
代理机构：
北京连和连知识产权代理有限公司 11278
代理人：
李红萧;张元
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20200724 |
| 2022-01-25 | 公开 | 公开 |