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一种集成SBR的SGT MOSFET

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010876407.6
申请日：
2020-08-27
公开(公告)号：
CN112185957A
公开(公告)日：
2021-01-05
发明(设计)人：
谢福渊
申请人：
申请人地址：
中国台湾新北市中和区中正路637巷1号
IPC主分类号：
H01L2706
IPC分类号：
H01L2906 H01L29786 H01L29861
代理机构：
上海申汇专利代理有限公司 31001
代理人：
徐俊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-01-05 公开 公开
2021-01-22 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20200827
共 50 条
[1]
一种集成SBR的SGT MOSFET的制作方法 [P]. 
张楠 ;
黄健 ;
孙闫涛 ;
顾昀浦 ;
宋跃桦 ;
刘静 ;
吴平丽 .
中国专利 :CN114400206B ,2024-12-06
[2]
一种集成SBR的SGT MOSFET的器件结构及其制作方法 [P]. 
张楠 ;
黄健 ;
孙闫涛 ;
顾昀浦 ;
宋跃桦 ;
刘静 ;
吴平丽 .
中国专利 :CN114093931A ,2022-02-25
[3]
一种SGT MOSFET版图及SGT MOSFET芯片 [P]. 
方镇东 ;
诸舜杰 ;
袁丹 .
中国专利 :CN221596453U ,2024-08-23
[4]
一种改善开关效率的SBR-SGT MOSFET集成器件的制作方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
刘科科 ;
蒙洁 ;
王永晟 ;
董云 .
中国专利 :CN120857593A ,2025-10-28
[5]
一种漏极共用的双SGT MOSFET器件 [P]. 
迟晓丽 ;
关仕汉 ;
薛涛 .
中国专利 :CN223231511U ,2025-08-15
[6]
一种SGT-MOSFET器件的制备方法及SGT-MOSFET器件 [P]. 
刘科科 ;
何增谊 ;
乐双申 ;
张立波 ;
袁晴雯 .
中国专利 :CN118553614A ,2024-08-27
[7]
一种SGT-MOSFET及其制造方法 [P]. 
高学 ;
代萌 .
中国专利 :CN113471078A ,2021-10-01
[8]
一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
吴启琴 ;
沈克强 ;
孙小羊 ;
孔繁俊 ;
葛年明 .
中国专利 :CN118448461B ,2025-06-06
[9]
一种SGT MOSFET器件结构 [P]. 
方绍明 ;
曾伟 ;
詹易霖 ;
伯纯宇 .
中国专利 :CN120111938A ,2025-06-06
[10]
一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
吴启琴 ;
沈克强 ;
孙小羊 ;
孔繁俊 ;
葛年明 .
中国专利 :CN118448461A ,2024-08-06
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