一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410708230.7

申请日：

2024-06-03

公开(公告)号：

CN118448461A

公开(公告)日：

2024-08-06

发明(设计)人：

吴启琴沈克强孙小羊孔繁俊葛年明

申请人：

三江学院

申请人地址：

210012 江苏省南京市雨花台区铁心桥龙西路310号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/336 H01L29/423

代理机构：

北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531

代理人：

盛君梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240603
2024-08-06	公开	公开
2025-06-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴启琴 ;

沈克强 ;

孙小羊 ;

孔繁俊 ;

葛年明 .

中国专利 :CN118448461B ,2025-06-06

[2]

SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

杨天翠 ;

李伟聪 ;

姜春亮 .

中国专利 :CN117747671A ,2024-03-22

[3]

一种SGT-MOSFET器件的制备方法及SGT-MOSFET器件 [P].

刘科科 ;

何增谊 ;

乐双申 ;

张立波 ;

袁晴雯 .

中国专利 :CN118553614A ,2024-08-27

[4]

一种ONO结构的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

李加洋 ;

陶瑞龙 ;

胡兴正 ;

薛璐 .

中国专利 :CN118173449A ,2024-06-11

[5]

一种超结和SGT新型复合MOSFET及其制造方法 [P].

薛璐 ;

陶瑞龙 ;

李加洋 ;

胡兴正 ;

刘海波 .

中国专利 :CN113921401B ,2022-01-11

[6]

一种ONO结构的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

李加洋 ;

陶瑞龙 ;

胡兴正 ;

薛璐 .

中国专利 :CN118173449B ,2024-09-03

[7]

沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN107591453A ,2018-01-16

[8]

一种超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

王南南 ;

肖晓军 ;

冯巍 ;

赵宏美 .

中国专利 :CN119584602A ,2025-03-07

[9]

SGT器件及其制备方法 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN112582468A ,2021-03-30

[10]

一种漏极共用的双SGT MOSFET器件 [P].

迟晓丽 ;

关仕汉 ;

薛涛 .

中国专利 :CN223231511U ,2025-08-15

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