一种超结MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411674739.0

申请日：

2024-11-21

公开(公告)号：

CN119584602A

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

王南南肖晓军冯巍赵宏美

申请人：

西安龙威半导体有限公司

申请人地址：

710000 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号西安关中综合保税区A区龙腾产业园

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

田孟敏

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	公开	公开
2025-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20241121

共 50 条

[1]

一种碳化硅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

王南南 ;

肖晓军 ;

温建功 .

中国专利 :CN117727772A ,2024-03-19

[2]

沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN107591453A ,2018-01-16

[3]

超结MOSFET器件及其制造方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298866A ,2017-01-04

[4]

一种超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

赵龙杰 ;

张新 ;

刘洋 ;

肖立 .

中国专利 :CN119894058A ,2025-04-25

[5]

超结MOSFET器件 [P].

任敏 ;

李长泽 ;

李泽宏 ;

林泳浩 ;

李伟聪 .

中国专利 :CN214848640U ,2021-11-23

[6]

一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴启琴 ;

沈克强 ;

孙小羊 ;

孔繁俊 ;

葛年明 .

中国专利 :CN118448461B ,2025-06-06

[7]

一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴启琴 ;

沈克强 ;

孙小羊 ;

孔繁俊 ;

葛年明 .

中国专利 :CN118448461A ,2024-08-06

[8]

一种超结MOSFET器件 [P].

栗终盛 ;

柴展 ;

罗杰馨 .

中国专利 :CN223415190U ,2025-10-03

[9]

一种超结MOSFET器件及其制备方法、芯片 [P].

原一帆 .

中国专利 :CN118472044B ,2024-09-13

[10]

一种超结MOSFET器件及其制备方法、芯片 [P].

原一帆 .

中国专利 :CN118472044A ,2024-08-09

← 1 2 3 4 5 →