SGT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910934044.4

申请日：

2019-09-29

公开(公告)号：

CN112582468A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

罗志云王飞潘梦瑜

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297

代理人：

冯华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20190929
2021-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN210403736U ,2020-04-24

[2]

一种SGT器件及其制备方法 [P].

罗志云 ;

潘梦瑜 ;

王飞 .

中国专利 :CN114613846A ,2022-06-10

[3]

SGT器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109935517A ,2019-06-25

[4]

SGT器件的制造方法 [P].

赵鑫栋 ;

张蕾 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN120152364A ,2025-06-13

[5]

L&R结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P].

严梅 ;

陈正嵘 ;

赵君红 ;

喻东旭 .

中国专利 :CN117855044A ,2024-04-09

[6]

一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴启琴 ;

沈克强 ;

孙小羊 ;

孔繁俊 ;

葛年明 .

中国专利 :CN118448461B ,2025-06-06

[7]

上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P].

严梅 ;

陈正嵘 ;

赵君红 ;

喻东旭 .

中国专利 :CN118116807A ,2024-05-31

[8]

一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴启琴 ;

沈克强 ;

孙小羊 ;

孔繁俊 ;

葛年明 .

中国专利 :CN118448461A ,2024-08-06

[9]

SGT器件的制造方法 [P].

赵鑫栋 ;

黄浩 ;

李奕薪 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN120812970A ,2025-10-17

[10]

一种SGT器件及其制造方法 [P].

支立明 ;

孙超峰 .

中国专利 :CN118039699A ,2024-05-14

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