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L&R结构SGT器件的制备方法及SGT器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311847272.0
申请日
:
2023-12-28
公开(公告)号
:
CN117855044A
公开(公告)日
:
2024-04-09
发明(设计)人
:
严梅
陈正嵘
赵君红
喻东旭
申请人
:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区鸿音路600号
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L29/78
H01L29/423
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
张志梅
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-06-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20231228
2024-04-09
公开
公开
共 50 条
[1]
上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件
[P].
严梅
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
严梅
;
陈正嵘
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机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
陈正嵘
;
赵君红
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机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
赵君红
;
喻东旭
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0
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机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
喻东旭
.
中国专利
:CN118116807A
,2024-05-31
[2]
SGT器件的制造方法
[P].
齐笑
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
齐笑
;
许铭源
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
许铭源
;
张蕾
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张蕾
;
潘嘉
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
潘嘉
;
杨继业
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杨继业
.
中国专利
:CN118471814A
,2024-08-09
[3]
SGT器件
[P].
罗志云
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罗志云
;
王飞
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0
王飞
;
潘梦瑜
论文数:
0
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0
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0
潘梦瑜
.
中国专利
:CN210403736U
,2020-04-24
[4]
SGT器件制造方法
[P].
王丽
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王丽
;
刘秀勇
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
刘秀勇
;
卫乐平
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
卫乐平
;
许晨强
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
许晨强
;
马栋
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
马栋
.
中国专利
:CN118280841A
,2024-07-02
[5]
SGT器件及其制备方法
[P].
罗志云
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0
罗志云
;
王飞
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0
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0
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0
王飞
;
潘梦瑜
论文数:
0
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0
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0
潘梦瑜
.
中国专利
:CN112582468A
,2021-03-30
[6]
一种SGT器件制备方法及SGT器件
[P].
赵君红
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机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
赵君红
;
陈正嵘
论文数:
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机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
陈正嵘
.
中国专利
:CN118969623A
,2024-11-15
[7]
一种ONO结构的SGT MOSFET器件及其制备方法
[P].
李加洋
论文数:
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0
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机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
李加洋
;
陶瑞龙
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机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
陶瑞龙
;
胡兴正
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机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
胡兴正
;
薛璐
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0
机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
薛璐
.
中国专利
:CN118173449A
,2024-06-11
[8]
一种ONO结构的SGT MOSFET器件及其制备方法
[P].
李加洋
论文数:
0
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0
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机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
李加洋
;
陶瑞龙
论文数:
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0
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机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
陶瑞龙
;
胡兴正
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机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
胡兴正
;
薛璐
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0
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0
机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
薛璐
.
中国专利
:CN118173449B
,2024-09-03
[9]
SGT器件的制造方法
[P].
赵鑫栋
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵鑫栋
;
张蕾
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张蕾
;
潘嘉
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
潘嘉
;
杨继业
论文数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杨继业
.
中国专利
:CN120152364A
,2025-06-13
[10]
SGT MOS器件的制造方法
[P].
王丽
论文数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王丽
;
刘秀勇
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
刘秀勇
;
马栋
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
马栋
;
张继亮
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张继亮
.
中国专利
:CN118538673A
,2024-08-23
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