L&R结构SGT器件的制备方法及SGT器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311847272.0
申请日
2023-12-28
公开(公告)号
CN117855044A
公开(公告)日
2024-04-09
发明(设计)人
严梅 陈正嵘 赵君红 喻东旭
申请人
上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区鸿音路600号
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/78 H01L29/423
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
张志梅
法律状态
实质审查的生效
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P]. 
严梅 ;
陈正嵘 ;
赵君红 ;
喻东旭 .
中国专利 :CN118116807A ,2024-05-31
[2]
SGT器件的制造方法 [P]. 
齐笑 ;
许铭源 ;
张蕾 ;
潘嘉 ;
杨继业 .
中国专利 :CN118471814A ,2024-08-09
[3]
SGT器件 [P]. 
罗志云 ;
王飞 ;
潘梦瑜 .
中国专利 :CN210403736U ,2020-04-24
[4]
SGT器件制造方法 [P]. 
王丽 ;
刘秀勇 ;
卫乐平 ;
许晨强 ;
马栋 .
中国专利 :CN118280841A ,2024-07-02
[5]
SGT器件及其制备方法 [P]. 
罗志云 ;
王飞 ;
潘梦瑜 .
中国专利 :CN112582468A ,2021-03-30
[6]
一种SGT器件制备方法及SGT器件 [P]. 
赵君红 ;
陈正嵘 .
中国专利 :CN118969623A ,2024-11-15
[7]
一种ONO结构的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
李加洋 ;
陶瑞龙 ;
胡兴正 ;
薛璐 .
中国专利 :CN118173449A ,2024-06-11
[8]
一种ONO结构的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
李加洋 ;
陶瑞龙 ;
胡兴正 ;
薛璐 .
中国专利 :CN118173449B ,2024-09-03
[9]
SGT器件的制造方法 [P]. 
赵鑫栋 ;
张蕾 ;
潘嘉 ;
杨继业 .
中国专利 :CN120152364A ,2025-06-13
[10]
SGT MOS器件的制造方法 [P]. 
王丽 ;
刘秀勇 ;
马栋 ;
张继亮 .
中国专利 :CN118538673A ,2024-08-23