一种SGT器件制备方法及SGT器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411089633.4
申请日
2024-08-08
公开(公告)号
CN118969623A
公开(公告)日
2024-11-15
发明(设计)人
赵君红 陈正嵘
申请人
上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区鸿音路600号
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/78 H01L29/423
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
姚莹丽
法律状态
实质审查的生效
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P]. 
严梅 ;
陈正嵘 ;
赵君红 ;
喻东旭 .
中国专利 :CN118116807A ,2024-05-31
[2]
SGT功率器件 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN116314250B ,2025-08-08
[3]
L&R结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P]. 
严梅 ;
陈正嵘 ;
赵君红 ;
喻东旭 .
中国专利 :CN117855044A ,2024-04-09
[4]
SGT器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 ;
姜春亮 .
中国专利 :CN117747672A ,2024-03-22
[5]
SGT器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 ;
姜春亮 .
中国专利 :CN117747672B ,2024-12-17
[6]
SGT器件制造方法 [P]. 
王丽 ;
刘秀勇 ;
卫乐平 ;
许晨强 ;
马栋 .
中国专利 :CN118280841A ,2024-07-02
[7]
SGT MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 ;
姜春亮 .
中国专利 :CN117747671A ,2024-03-22
[8]
半SGT MOSFET器件 [P]. 
曾大杰 ;
李佳驹 .
中国专利 :CN119300417B ,2025-10-03
[9]
半SGT MOSFET器件 [P]. 
曾大杰 ;
李佳驹 .
中国专利 :CN119300417A ,2025-01-10
[10]
SGT器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN109935517A ,2019-06-25