学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
一种SGT器件制备方法及SGT器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411089633.4
申请日
:
2024-08-08
公开(公告)号
:
CN118969623A
公开(公告)日
:
2024-11-15
发明(设计)人
:
赵君红
陈正嵘
申请人
:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区鸿音路600号
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L29/78
H01L29/423
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
姚莹丽
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
上海市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-10
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240808
2024-11-15
公开
公开
共 50 条
[1]
上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件
[P].
严梅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
严梅
;
陈正嵘
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
陈正嵘
;
赵君红
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
赵君红
;
喻东旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
喻东旭
.
中国专利
:CN118116807A
,2024-05-31
[2]
SGT功率器件
[P].
曾大杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南通尚阳通集成电路有限公司
南通尚阳通集成电路有限公司
曾大杰
.
中国专利
:CN116314250B
,2025-08-08
[3]
L&R结构SGT器件的制备方法及SGT器件
[P].
严梅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
严梅
;
陈正嵘
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
陈正嵘
;
赵君红
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
赵君红
;
喻东旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鼎泰匠芯科技有限公司
上海鼎泰匠芯科技有限公司
喻东旭
.
中国专利
:CN117855044A
,2024-04-09
[4]
SGT器件及其制备方法
[P].
杨天翠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
杨天翠
;
李伟聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
.
中国专利
:CN117747672A
,2024-03-22
[5]
SGT器件及其制备方法
[P].
杨天翠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
杨天翠
;
李伟聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
.
中国专利
:CN117747672B
,2024-12-17
[6]
SGT器件制造方法
[P].
王丽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王丽
;
刘秀勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
刘秀勇
;
卫乐平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
卫乐平
;
许晨强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
许晨强
;
马栋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
马栋
.
中国专利
:CN118280841A
,2024-07-02
[7]
SGT MOSFET器件及其制备方法
[P].
杨天翠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
杨天翠
;
李伟聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
.
中国专利
:CN117747671A
,2024-03-22
[8]
半SGT MOSFET器件
[P].
曾大杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
曾大杰
;
李佳驹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
李佳驹
.
中国专利
:CN119300417B
,2025-10-03
[9]
半SGT MOSFET器件
[P].
曾大杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
曾大杰
;
李佳驹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
李佳驹
.
中国专利
:CN119300417A
,2025-01-10
[10]
SGT器件及其制造方法
[P].
肖胜安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
肖胜安
.
中国专利
:CN109935517A
,2019-06-25
←
1
2
3
4
5
→