SGT器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510381997.8

申请日：

2025-03-28

公开(公告)号：

CN120152364A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

赵鑫栋张蕾潘嘉杨继业

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	公开	公开
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250328

共 50 条

[1]

SGT器件的制造方法 [P].

赵鑫栋 ;

黄浩 ;

李奕薪 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN120812970A ,2025-10-17

[2]

SGT器件的制造方法 [P].

齐笑 ;

许铭源 ;

张蕾 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118471814A ,2024-08-09

[3]

SGT器件制造方法 [P].

王丽 ;

刘秀勇 ;

卫乐平 ;

许晨强 ;

马栋 .

中国专利 :CN118280841A ,2024-07-02

[4]

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN210403736U ,2020-04-24

[5]

SGT MOS器件的制造方法 [P].

王丽 ;

刘秀勇 ;

马栋 ;

张继亮 .

中国专利 :CN118538673A ,2024-08-23

[6]

SGT器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109935517A ,2019-06-25

[7]

上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P].

严梅 ;

陈正嵘 ;

赵君红 ;

喻东旭 .

中国专利 :CN118116807A ,2024-05-31

[8]

SGT器件及其制备方法 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN112582468A ,2021-03-30

[9]

一种SGT器件及其制造方法 [P].

支立明 ;

孙超峰 .

中国专利 :CN118039699A ,2024-05-14

[10]

L&R结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P].

严梅 ;

陈正嵘 ;

赵君红 ;

喻东旭 .

中国专利 :CN117855044A ,2024-04-09

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