一种改善开关效率的SBR-SGT MOSFET集成器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510990598.1

申请日：

2025-07-18

公开(公告)号：

CN120857593A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

请求不公布姓名刘科科蒙洁王永晟董云

申请人：

中晶新源（上海）半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/80

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250718

共 50 条

[1]

一种集成SBR的SGT MOSFET的制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

宋跃桦 ;

刘静 ;

吴平丽 .

中国专利 :CN114400206B ,2024-12-06

[2]

一种集成SBR的SGT MOSFET的器件结构及其制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

宋跃桦 ;

刘静 ;

吴平丽 .

中国专利 :CN114093931A ,2022-02-25

[3]

一种集成SBR的SGT MOSFET [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN112185957A ,2021-01-05

[4]

一种SGT-MOSFET的制作方法 [P].

刘科科 ;

钟义栋 ;

董云 .

中国专利 :CN117524878A ,2024-02-06

[5]

一种集成肖特基的SGT器件的制作方法 [P].

尹振忠 ;

田磊 ;

霍武英 ;

肖泽龙 .

中国专利 :CN118231249A ,2024-06-21

[6]

集成器件的制作方法 [P].

彭翔 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 ;

朱骏 .

中国专利 :CN120603317A ,2025-09-05

[7]

SOI LDMOS与SGT集成器件的制造方法 [P].

张祥 ;

陈天 ;

陈华伦 ;

王黎 ;

肖莉 .

中国专利 :CN118888553A ,2024-11-01

[8]

一种SGT器件的制作方法及器件 [P].

刘秀勇 ;

李志国 ;

程光 ;

马栋 ;

张继亮 ;

倪立华 .

中国专利 :CN118098971A ,2024-05-28

[9]

SGT与BCD集成器件的制造方法 [P].

陈华伦 ;

龙致远 ;

陈晨 ;

徐爱斌 ;

王黎 ;

何兴月 .

中国专利 :CN121126853A ,2025-12-12

[10]

一种屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法 [P].

黄平 ;

鲍利华 ;

顾海颖 .

中国专利 :CN114999916A ,2022-09-02

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