一种集成肖特基的SGT器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410326984.6

申请日：

2024-03-21

公开(公告)号：

CN118231249A

公开(公告)日：

2024-06-21

发明(设计)人：

尹振忠田磊霍武英肖泽龙

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21/329

IPC分类号：

H01L29/872

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王关根

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/329申请日:20240321
2024-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SGT器件的制作方法及器件 [P].

刘秀勇 ;

李志国 ;

程光 ;

马栋 ;

张继亮 ;

倪立华 .

中国专利 :CN118098971A ,2024-05-28

[2]

一种集成肖特基二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法 [P].

顾昊元 ;

蔡晨 ;

李亮 .

中国专利 :CN115274566B ,2025-04-29

[3]

SGT器件的制造方法 [P].

齐笑 ;

许铭源 ;

张蕾 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118471814A ,2024-08-09

[4]

一种集成SBR的SGT MOSFET的器件结构及其制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

宋跃桦 ;

刘静 ;

吴平丽 .

中国专利 :CN114093931A ,2022-02-25

[5]

IGBT器件的制作方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

冯超 .

中国专利 :CN111883423A ,2020-11-03

[6]

一种集成SBR的SGT MOSFET的制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

宋跃桦 ;

刘静 ;

吴平丽 .

中国专利 :CN114400206B ,2024-12-06

[7]

一种SGT-MOSFET的制作方法 [P].

刘科科 ;

钟义栋 ;

董云 .

中国专利 :CN117524878A ,2024-02-06

[8]

包含SGT结构的MOSFET器件的制作方法 [P].

高学 .

中国专利 :CN112201583B ,2024-02-27

[9]

包含SGT结构的MOSFET器件的制作方法 [P].

高学 .

中国专利 :CN112201583A ,2021-01-08

[10]

上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P].

严梅 ;

陈正嵘 ;

赵君红 ;

喻东旭 .

中国专利 :CN118116807A ,2024-05-31

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