一种SGT器件的制作方法及器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410182281.0

申请日：

2024-02-18

公开(公告)号：

CN118098971A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

刘秀勇李志国程光马栋张继亮倪立华

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/28 H01L29/423 H01L29/49 H01L29/06

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-28	公开	公开
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240218

共 50 条

[1]

一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P].

李承贤 .

中国专利 :CN118899219A ,2024-11-05

[2]

SGT器件及其制作方法 [P].

罗进 ;

袁家贵 ;

刘长灵 .

中国专利 :CN117577535A ,2024-02-20

[3]

一种集成肖特基的SGT器件的制作方法 [P].

尹振忠 ;

田磊 ;

霍武英 ;

肖泽龙 .

中国专利 :CN118231249A ,2024-06-21

[4]

上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件 [P].

严梅 ;

陈正嵘 ;

赵君红 ;

喻东旭 .

中国专利 :CN118116807A ,2024-05-31

[5]

包含SGT结构的器件的制作方法 [P].

吴家辉 ;

张宾 .

中国专利 :CN113223952A ,2021-08-06

[6]

一种高压器件的制作方法及MOS管器件 [P].

赵东光 ;

占琼 .

中国专利 :CN109300987A ,2019-02-01

[7]

一种优化电位分布的SGT器件及其制作方法 [P].

陶瑞龙 ;

胡兴正 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117766403A ,2024-03-26

[8]

一种优化电位分布的SGT器件及其制作方法 [P].

陶瑞龙 ;

胡兴正 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117766403B ,2024-04-19

[9]

一种SGT-MOSFET器件的制备方法及SGT-MOSFET器件 [P].

刘科科 ;

何增谊 ;

乐双申 ;

张立波 ;

袁晴雯 .

中国专利 :CN118553614A ,2024-08-27

[10]

一种提升雪崩耐量的SGT器件制备方法及SGT器件 [P].

李吕强 ;

王吉伟 ;

刘齐 .

中国专利 :CN118156137A ,2024-06-07

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