一种优化电位分布的SGT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410195432.6

申请日：

2024-02-22

公开(公告)号：

CN117766403B

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

陶瑞龙胡兴正薛璐

申请人：

南京华瑞微集成电路有限公司

申请人地址：

210000 江苏省南京市浦口区浦滨大道88号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/423

代理机构：

南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368

代理人：

徐冲冲

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-26	公开	公开
2024-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240222
2024-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种优化电位分布的SGT器件及其制作方法 [P].

陶瑞龙 ;

胡兴正 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117766403A ,2024-03-26

[2]

SGT器件及其制作方法 [P].

罗进 ;

袁家贵 ;

刘长灵 .

中国专利 :CN117577535A ,2024-02-20

[3]

一种SGT器件的制作方法及器件 [P].

刘秀勇 ;

李志国 ;

程光 ;

马栋 ;

张继亮 ;

倪立华 .

中国专利 :CN118098971A ,2024-05-28

[4]

一种集成肖特基的SGT器件的制作方法 [P].

尹振忠 ;

田磊 ;

霍武英 ;

肖泽龙 .

中国专利 :CN118231249A ,2024-06-21

[5]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN105206527A ,2015-12-30

[6]

一种SGT-MOSFET的制作方法 [P].

刘科科 ;

钟义栋 ;

董云 .

中国专利 :CN117524878A ,2024-02-06

[7]

一种集成SBR的SGT MOSFET的器件结构及其制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

宋跃桦 ;

刘静 ;

吴平丽 .

中国专利 :CN114093931A ,2022-02-25

[8]

一种SGT器件及其制备方法 [P].

罗志云 ;

潘梦瑜 ;

王飞 .

中国专利 :CN114613846A ,2022-06-10

[9]

一种屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法 [P].

黄平 ;

鲍利华 ;

顾海颖 .

中国专利 :CN114999916A ,2022-09-02

[10]

一种SGT晶体管及制作方法 [P].

何昌 ;

张光亚 ;

杨勇 ;

朱勇华 .

中国专利 :CN119208143A ,2024-12-27

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