一种SGT晶体管及制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411320243.3
申请日
2024-09-23
公开(公告)号
CN119208143A
公开(公告)日
2024-12-27
发明(设计)人
何昌 张光亚 杨勇 朱勇华
申请人
深圳市美浦森半导体有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/78 H01L29/423
代理机构
深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589
代理人
彭胜
法律状态
公开
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
一种SGT晶体管及制作方法 [P]. 
何昌 ;
张光亚 ;
杨勇 ;
朱勇华 .
中国专利 :CN119208143B ,2025-10-21
[2]
晶体管及其制作方法 [P]. 
王学良 ;
刘建华 ;
郎金荣 ;
闵亚能 .
中国专利 :CN113327845B ,2024-02-13
[3]
晶体管及其制作方法 [P]. 
王学良 ;
刘建华 ;
郎金荣 ;
闵亚能 .
中国专利 :CN113327845A ,2021-08-31
[4]
一种晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109411353A ,2019-03-01
[5]
一种晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109119483A ,2019-01-01
[6]
一种晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109300977A ,2019-02-01
[7]
一种晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109065603A ,2018-12-21
[8]
一种晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109037073A ,2018-12-18
[9]
双极晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108109916B ,2018-06-01
[10]
CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P]. 
平延磊 ;
鲍宇 .
中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24