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一种SGT晶体管及制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411320243.3
申请日
:
2024-09-23
公开(公告)号
:
CN119208143A
公开(公告)日
:
2024-12-27
发明(设计)人
:
何昌
张光亚
杨勇
朱勇华
申请人
:
深圳市美浦森半导体有限公司
申请人地址
:
518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L29/78
H01L29/423
代理机构
:
深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589
代理人
:
彭胜
法律状态
:
公开
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-27
公开
公开
2025-10-21
授权
授权
2025-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240923
共 50 条
[1]
一种SGT晶体管及制作方法
[P].
何昌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市美浦森半导体有限公司
深圳市美浦森半导体有限公司
何昌
;
张光亚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市美浦森半导体有限公司
深圳市美浦森半导体有限公司
张光亚
;
杨勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市美浦森半导体有限公司
深圳市美浦森半导体有限公司
杨勇
;
朱勇华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市美浦森半导体有限公司
深圳市美浦森半导体有限公司
朱勇华
.
中国专利
:CN119208143B
,2025-10-21
[2]
晶体管及其制作方法
[P].
王学良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
王学良
;
刘建华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘建华
;
郎金荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
郎金荣
;
闵亚能
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
闵亚能
.
中国专利
:CN113327845B
,2024-02-13
[3]
晶体管及其制作方法
[P].
王学良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王学良
;
刘建华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘建华
;
郎金荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郎金荣
;
闵亚能
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
闵亚能
.
中国专利
:CN113327845A
,2021-08-31
[4]
一种晶体管及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109411353A
,2019-03-01
[5]
一种晶体管及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109119483A
,2019-01-01
[6]
一种晶体管及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109300977A
,2019-02-01
[7]
一种晶体管及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109065603A
,2018-12-21
[8]
一种晶体管及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109037073A
,2018-12-18
[9]
双极晶体管及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN108109916B
,2018-06-01
[10]
CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法
[P].
平延磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
平延磊
;
鲍宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
鲍宇
.
中国专利
:CN103066019A
,2013-04-24
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