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一种功率MOSFET及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211144941.3
申请日：
2022-09-20
公开(公告)号：
CN117790531A
公开(公告)日：
2024-03-29
发明(设计)人：
李平
马荣耀
申请人：
华润微电子（重庆）有限公司
申请人地址：
401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L29/08
H01L29/10
H01L29/78
H01L27/07
H01L21/336
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
余明伟
法律状态：
公开
国省代码：
重庆市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-29 | 公开 | 公开 |
| 2024-04-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20220920 |