功率MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111499851.1

申请日：

2021-12-09

公开(公告)号：

CN114141878A

公开(公告)日：

2022-03-04

发明(设计)人：

周源胡磊王超杨棂鑫邢岳王振达罗胡瑞

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739

代理人：

王乾旭;赵红凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211209
2022-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

周源 ;

胡磊 ;

王超 ;

杨棂鑫 ;

邢岳 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141878B ,2025-08-01

[2]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102437188A ,2012-05-02

[3]

功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202473932U ,2012-10-03

[4]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472A ,2019-03-26

[5]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472B ,2024-07-19

[6]

一种MOSFET功率半导体器件的制备方法 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118486594A ,2024-08-13

[7]

功率MOSFET器件及其形成方法 [P].

唐昭焕 ;

吴罚 ;

朱克宝 ;

杨帆 .

中国专利 :CN111883494B ,2020-11-03

[8]

功率MOSFET器件 [P].

M·G·萨吉奥 ;

C·M·卡玛勒里 ;

A·瓜尔内拉 .

:CN220934087U ,2024-05-10

[9]

一种低VF的功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN103779416A ,2014-05-07

[10]

一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

陈利 ;

陈彬 .

中国专利 :CN113690317A ,2021-11-23

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