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一种沟槽型功率MOSFET及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710891945.0
申请日：
2017-09-27
公开(公告)号：
CN107658341B
公开(公告)日：
2018-02-02
发明(设计)人：
黄平
申请人：
申请人地址：
201414 上海市奉贤区青村镇钱桥路756号1363室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
上海天翔知识产权代理有限公司 31224
代理人：
陈骏键
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-03-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170927 |
| 2018-02-02 | 公开 | 公开 |
| 2020-09-15 | 授权 | 授权 |