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沟槽型MOSFET器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110894293.2
申请日：
2021-08-04
公开(公告)号：
CN113594255A
公开(公告)日：
2021-11-02
发明(设计)人：
崔同 万兴兴 朱开兴 加春雷
申请人：
申请人地址：
250014 山东省济南市历下区和平路51号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423 H01L2906 H01L21336
代理机构：
济南诚智商标专利事务所有限公司 37105
代理人：
李修杰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210804
2021-11-02 公开 公开
共 50 条
[1]
沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN113140632B ,2021-07-20
[2]
沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
何海洋 ;
陈蕾 .
中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01
[3]
沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
何海洋 ;
陈蕾 .
中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25
[4]
沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122129B ,2025-02-11
[5]
沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122129A ,2022-03-01
[6]
沟槽型功率MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
刘晶晶 .
中国专利 :CN105957895A ,2016-09-21
[7]
沟槽型MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
兰总金 .
中国专利 :CN120769515A ,2025-10-10
[8]
沟槽型功率MOSFET器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
刘晶晶 .
中国专利 :CN205789991U ,2016-12-07
[9]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
蔡金勇 .
中国专利 :CN113594043A ,2021-11-02
[10]
沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P]. 
盛况 ;
王宝柱 ;
任娜 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN117613088A ,2024-02-27
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