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沟槽型MOSFET器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010875588.0
申请日：
2020-08-27
公开(公告)号：
CN114122129A
公开(公告)日：
2022-03-01
发明(设计)人：
楼颖颖 李铁生 杨乐
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1239弄1号3楼TC-313单元
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423 H01L21265 H01L21336
代理机构：
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275
代理人：
吴世华;陶金龙
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-03-01 公开 公开
共 50 条
[1]
沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122129B ,2025-02-11
[2]
沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN113140632B ,2021-07-20
[3]
沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
崔同 ;
万兴兴 ;
朱开兴 ;
加春雷 .
中国专利 :CN113594255A ,2021-11-02
[4]
沟槽型MOSFET器件 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122130A ,2022-03-01
[5]
沟槽型MOSFET器件 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122130B ,2025-01-10
[6]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
王宝柱 ;
盛况 ;
任娜 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN118335793A ,2024-07-12
[7]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
郭景贤 ;
周逊伟 .
中国专利 :CN110993690A ,2020-04-10
[8]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
蔡金勇 .
中国专利 :CN113594043A ,2021-11-02
[9]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
王宝柱 ;
任娜 ;
盛况 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN117438314A ,2024-01-23
[10]
沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P]. 
任娜 ;
王宝柱 ;
盛况 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN117637844A ,2024-03-01
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