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沟槽型MOSFET器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010875611.6
申请日：
2020-08-27
公开(公告)号：
CN114122130B
公开(公告)日：
2025-01-10
发明(设计)人：
楼颖颖 李铁生 杨乐
申请人：
旭矽半导体（上海）有限公司 龙腾半导体股份有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1239弄1号3楼TC-313单元
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D30/01 H10D64/27
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
辛菲
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-01-10 授权 授权
共 50 条
[1]
沟槽型MOSFET器件 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122130A ,2022-03-01
[2]
沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P]. 
任娜 ;
王宝柱 ;
盛况 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN117637844A ,2024-03-01
[3]
沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P]. 
盛况 ;
王宝柱 ;
任娜 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN117613088A ,2024-02-27
[4]
沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122129B ,2025-02-11
[5]
沟槽型MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122129A ,2022-03-01
[6]
沟槽型MOSFET [P]. 
周春颖 ;
顾航 ;
周通 .
中国专利 :CN120640738A ,2025-09-12
[7]
沟槽型MOSFET [P]. 
周春颖 ;
顾航 ;
周通 .
中国专利 :CN120640737A ,2025-09-12
[8]
沟槽型MOSFET器件制造方法 [P]. 
蔡金勇 .
中国专利 :CN110047759A ,2019-07-23
[9]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
王宝柱 ;
盛况 ;
任娜 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN118335793A ,2024-07-12
[10]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
郭景贤 ;
周逊伟 .
中国专利 :CN110993690A ,2020-04-10
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