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沟槽型MOSFET
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510809515.4
申请日
:
2025-06-17
公开(公告)号
:
CN120640737A
公开(公告)日
:
2025-09-12
发明(设计)人
:
周春颖
顾航
周通
申请人
:
深圳尚阳通科技股份有限公司
申请人地址
:
518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道008号创维大厦A1206
IPC主分类号
:
H10D30/66
IPC分类号
:
H10D30/01
H10D64/27
H10D84/00
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-30
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250617
2025-09-12
公开
公开
共 50 条
[1]
沟槽型MOSFET
[P].
周春颖
论文数:
0
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0
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
周春颖
;
顾航
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
顾航
;
周通
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
周通
.
中国专利
:CN120640738A
,2025-09-12
[2]
沟槽型MOSFET及其制造方法
[P].
顾航
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
顾航
;
周通
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
周通
;
周春颖
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
周春颖
.
中国专利
:CN120603313A
,2025-09-05
[3]
沟槽型MOSFET及其制造方法
[P].
顾航
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
顾航
;
周通
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
周通
;
周春颖
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
周春颖
.
中国专利
:CN120603314A
,2025-09-05
[4]
沟槽型MOSFET器件
[P].
楼颖颖
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楼颖颖
;
李铁生
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李铁生
;
杨乐
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杨乐
.
中国专利
:CN114122130A
,2022-03-01
[5]
沟槽型MOSFET器件
[P].
楼颖颖
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机构:
旭矽半导体(上海)有限公司
旭矽半导体(上海)有限公司
楼颖颖
;
李铁生
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机构:
旭矽半导体(上海)有限公司
旭矽半导体(上海)有限公司
李铁生
;
杨乐
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机构:
旭矽半导体(上海)有限公司
旭矽半导体(上海)有限公司
杨乐
.
中国专利
:CN114122130B
,2025-01-10
[6]
沟槽型MOSFET
[P].
史蒂文·皮克
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史蒂文·皮克
;
菲尔·鲁特
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菲尔·鲁特
.
中国专利
:CN115377185A
,2022-11-22
[7]
沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法
[P].
论文数:
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机构:
任娜
;
论文数:
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机构:
王宝柱
;
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机构:
盛况
;
徐弘毅
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机构:
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心
徐弘毅
;
吴九鹏
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机构:
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心
吴九鹏
;
论文数:
引用数:
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机构:
王珩宇
.
中国专利
:CN117637844A
,2024-03-01
[8]
沟槽型MOSFET及其制造方法
[P].
顾航
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
顾航
;
周通
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
周通
;
周春颖
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机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
周春颖
.
中国专利
:CN120603315A
,2025-09-05
[9]
沟槽型MOSFET的制备方法
[P].
陈周宇
论文数:
0
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0
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
陈周宇
;
赵文侠
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
赵文侠
;
吴贤勇
论文数:
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
吴贤勇
.
中国专利
:CN120152322A
,2025-06-13
[10]
沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
盛况
;
论文数:
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机构:
王宝柱
;
论文数:
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机构:
任娜
;
徐弘毅
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机构:
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心
徐弘毅
;
吴九鹏
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机构:
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心
吴九鹏
;
论文数:
引用数:
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机构:
王珩宇
.
中国专利
:CN117613088A
,2024-02-27
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