沟槽型MOSFET

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510809515.4
申请日
2025-06-17
公开(公告)号
CN120640737A
公开(公告)日
2025-09-12
发明(设计)人
周春颖 顾航 周通
申请人
深圳尚阳通科技股份有限公司
申请人地址
518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道008号创维大厦A1206
IPC主分类号
H10D30/66
IPC分类号
H10D30/01 H10D64/27 H10D84/00
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
沟槽型MOSFET [P]. 
周春颖 ;
顾航 ;
周通 .
中国专利 :CN120640738A ,2025-09-12
[2]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
顾航 ;
周通 ;
周春颖 .
中国专利 :CN120603313A ,2025-09-05
[3]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
顾航 ;
周通 ;
周春颖 .
中国专利 :CN120603314A ,2025-09-05
[4]
沟槽型MOSFET器件 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122130A ,2022-03-01
[5]
沟槽型MOSFET器件 [P]. 
楼颖颖 ;
李铁生 ;
杨乐 .
中国专利 :CN114122130B ,2025-01-10
[6]
沟槽型MOSFET [P]. 
史蒂文·皮克 ;
菲尔·鲁特 .
中国专利 :CN115377185A ,2022-11-22
[7]
沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P]. 
任娜 ;
王宝柱 ;
盛况 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN117637844A ,2024-03-01
[8]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
顾航 ;
周通 ;
周春颖 .
中国专利 :CN120603315A ,2025-09-05
[9]
沟槽型MOSFET的制备方法 [P]. 
陈周宇 ;
赵文侠 ;
吴贤勇 .
中国专利 :CN120152322A ,2025-06-13
[10]
沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P]. 
盛况 ;
王宝柱 ;
任娜 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN117613088A ,2024-02-27