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沟槽型MOSFET及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510746841.5
申请日：
2025-06-05
公开(公告)号：
CN120603315A
公开(公告)日：
2025-09-05
发明(设计)人：
顾航 周通 周春颖
申请人：
深圳尚阳通科技股份有限公司
申请人地址：
518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道008号创维大厦A1206
IPC主分类号：
H10D84/00
IPC分类号：
H10D84/01 H10D30/66 H10D62/10
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/00申请日:20250605
2025-09-05 公开 公开
共 50 条
[1]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
顾航 ;
周通 ;
周春颖 .
中国专利 :CN120603313A ,2025-09-05
[2]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
顾航 ;
周通 ;
周春颖 .
中国专利 :CN120603314A ,2025-09-05
[3]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
吴兵 ;
王加坤 .
中国专利 :CN112582260A ,2021-03-30
[4]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
A·O·阿丹 .
中国专利 :CN1767214A ,2006-05-03
[5]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
阿尔贝托·奥·阿丹 .
中国专利 :CN101138093A ,2008-03-05
[6]
沟槽型MOSFET及其制造方法 [P]. 
阿尔贝托·奥·阿丹 .
中国专利 :CN100565920C ,2008-03-19
[7]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
王宝柱 ;
盛况 ;
任娜 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN118335793A ,2024-07-12
[8]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
郭景贤 ;
周逊伟 .
中国专利 :CN110993690A ,2020-04-10
[9]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
蔡金勇 .
中国专利 :CN113594043A ,2021-11-02
[10]
沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
王宝柱 ;
任娜 ;
盛况 ;
徐弘毅 ;
吴九鹏 ;
王珩宇 .
中国专利 :CN117438314A ,2024-01-23
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