沟槽型MOSFET及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680007622.0

申请日：

2006-06-07

公开(公告)号：

CN101138093A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

阿尔贝托·奥·阿丹

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-05	公开	公开
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

沟槽型MOSFET及其制造方法 [P].

A·O·阿丹 .

中国专利 :CN1767214A ,2006-05-03

[2]

沟槽型MOSFET及其制造方法 [P].

阿尔贝托·奥·阿丹 .

中国专利 :CN100565920C ,2008-03-19

[3]

沟槽型MOSFET及其制造方法 [P].

吴兵 ;

王加坤 .

中国专利 :CN112582260A ,2021-03-30

[4]

沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P].

王宝柱 ;

盛况 ;

任娜 ;

徐弘毅 ;

吴九鹏 ;

王珩宇 .

中国专利 :CN118335793A ,2024-07-12

[5]

沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P].

王宝柱 ;

任娜 ;

盛况 ;

徐弘毅 ;

吴九鹏 ;

王珩宇 .

中国专利 :CN117438314A ,2024-01-23

[6]

沟槽型MOSFET结构及其制造方法 [P].

王加坤 ;

吴兵 .

中国专利 :CN110896026A ,2020-03-20

[7]

沟槽型MOSFET及其制造方法 [P].

顾航 ;

周通 ;

周春颖 .

中国专利 :CN120603313A ,2025-09-05

[8]

沟槽型MOSFET及其制造方法 [P].

顾航 ;

周通 ;

周春颖 .

中国专利 :CN120603314A ,2025-09-05

[9]

沟槽型MOSFET及其制造方法 [P].

顾航 ;

周通 ;

周春颖 .

中国专利 :CN120603315A ,2025-09-05

[10]

P型沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

石磊 ;

缪进征 ;

范让萱 .

中国专利 :CN107978629A ,2018-05-01

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