P型沟槽栅MOSFET及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711234796.7

申请日：

2017-11-30

公开(公告)号：

CN107978629A

公开(公告)日：

2018-05-01

发明(设计)人：

石磊缪进征范让萱

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-01	公开	公开
2018-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20171130
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20180501

共 50 条

[1]

沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

蒋容 .

中国专利 :CN111370487B ,2020-07-03

[2]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

石磊 ;

缪进征 ;

范让萱 .

中国专利 :CN109119477A ,2019-01-01

[3]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

金希大 .

中国专利 :CN101471381B ,2009-07-01

[4]

沟槽栅功率MOSFET结构及其制造方法 [P].

柯行飞 ;

缪进征 .

中国专利 :CN106024894B ,2016-10-12

[5]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN105895516A ,2016-08-24

[6]

沟槽型MOSFET及其制造方法 [P].

阿尔贝托·奥·阿丹 .

中国专利 :CN100565920C ,2008-03-19

[7]

屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法 [P].

李豪 ;

张杰 ;

胡舜涛 ;

潘晓伟 .

中国专利 :CN111863969B ,2020-10-30

[8]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

胡嘉宁 ;

孙文镇 ;

刘秀勇 ;

许晨强 .

中国专利 :CN121152261A ,2025-12-16

[9]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 .

中国专利 :CN107527948B ,2017-12-29

[10]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN104795446A ,2015-07-22

← 1 2 3 4 5 →