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一种功率MOSFET版图及MOSFET

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510420186.4
申请日：
2025-04-03
公开(公告)号：
CN120264855A
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
薛华瑞 董建新
申请人：
上海韦尔半导体股份有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层
IPC主分类号：
H10D89/10
IPC分类号：
H10D62/10
代理机构：
深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684
代理人：
张海燕
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-04 公开 公开
2025-07-22 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 89/10申请日:20250403
共 50 条
[1]
一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET [P]. 
薛华瑞 ;
阮孟波 .
中国专利 :CN120091616A ,2025-06-03
[2]
一种功率MOSFET版图 [P]. 
党晓军 ;
董建新 ;
衷世雄 .
中国专利 :CN221041127U ,2024-05-28
[3]
一种屏蔽栅极功率MOSFET版图 [P]. 
党晓军 ;
董建新 ;
衷世雄 ;
薛华瑞 .
中国专利 :CN221041128U ,2024-05-28
[4]
一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET [P]. 
党晓军 ;
董建新 ;
衷世雄 .
中国专利 :CN121174540A ,2025-12-19
[5]
一种MOSFET器件的版图结构及MOSFET器件 [P]. 
陈雪萌 ;
王艳颖 ;
钱晓霞 .
中国专利 :CN114548016A ,2022-05-27
[6]
一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图 [P]. 
薛华瑞 ;
董建新 .
中国专利 :CN223108363U ,2025-07-15
[7]
一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图 [P]. 
薛华瑞 ;
阮孟波 ;
董建新 .
中国专利 :CN221150025U ,2024-06-14
[8]
垂直功率MOSFET [P]. 
江口聪司 ;
中泽芳人 ;
玉城朋宏 .
中国专利 :CN103915500A ,2014-07-09
[9]
功率MOSFET [P]. 
B·J·巴利加 .
中国专利 :CN1211863C ,2003-10-08
[10]
功率MOSFET [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN109585445A ,2019-04-05
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