功率MOSFET

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420736131.1

申请日：

2014-11-28

公开(公告)号：

CN204257661U

公开(公告)日：

2015-04-08

发明(设计)人：

廖奇泊陈俊峰古一夫

申请人：

申请人地址：

200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

上海汉声知识产权代理有限公司 31236

代理人：

郭国中

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	授权	授权
2017-03-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101748680452 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2014207361311 登记生效日:20170301 变更事项:专利权人变更前权利人:上海芯亮电子科技有限公司变更后权利人:厦门讯扬电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室变更后权利人:361100 福建省厦门市同安工业集中区同安园268-269号

共 50 条

[1]

功率MOSFET [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109585445A ,2019-04-05

[2]

功率MOSFET器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583798U ,2021-06-29

[3]

功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202473932U ,2012-10-03

[4]

垂直功率MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212725320U ,2021-03-16

[5]

新型功率MOSFET器件 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN209216983U ,2019-08-06

[6]

功率MOSFET [P].

B·J·巴利加 .

中国专利 :CN1211863C ,2003-10-08

[7]

ESD保护的功率MOSFET和IGBT [P].

钱梦亮 ;

陈俊标 .

中国专利 :CN202534648U ,2012-11-14

[8]

功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法 [P].

O·布兰克 ;

M·胡茨勒 ;

D·拉福雷特 ;

C·乌夫拉尔 ;

R·西米尼克 ;

叶俐君 .

中国专利 :CN105261650A ,2016-01-20

[9]

大功率MOSFET器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342639U ,2021-01-12

[10]

内嵌沟槽式功率MOSFET [P].

穆罕默德·恩·达维希 ;

曾军 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN202695449U ,2013-01-23

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