一种功率MOSFET封装体及其封装方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010177400.1

申请日：

2010-05-14

公开(公告)号：

CN101859755B

公开(公告)日：

2010-10-13

发明(设计)人：

张江元柳丹娜李志宁

申请人：

申请人地址：

201612 上海市松江区出口加工区三庄路18弄1号

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L23495 H01L2160

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

翟羽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101018888780 IPC(主分类):H01L 25/07 专利申请号:2010101774001 申请日:20100514
2010-10-13	公开	公开
2012-01-04	授权	授权

共 50 条

[1]

MOSFET功率封装 [P].

李文清 ;

骆建仁 ;

龚德梅 .

中国专利 :CN101064300A ,2007-10-31

[2]

一种功率MOSFET芯片的封装结构 [P].

林仲康 ;

汤广福 ;

吴军民 ;

金锐 ;

唐新灵 ;

韩荣刚 ;

王亮 ;

杜玉杰 ;

周扬 .

中国专利 :CN111477683A ,2020-07-31

[3]

双芯片功率MOSFET封装结构 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517178U ,2021-02-09

[4]

一种功率MOSFET封装装置 [P].

刘官超 .

中国专利 :CN210607202U ,2020-05-22

[5]

功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺 [P].

丁浩宸 ;

杨超 ;

陈志阳 ;

徐彩云 .

中国专利 :CN114256172A ,2022-03-29

[6]

功率MOSFET芯片的DFN封装结构 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN102842550A ,2012-12-26

[7]

四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体 [P].

胡乃仁 ;

杨小平 ;

李国发 ;

钟利强 .

中国专利 :CN102842549A ,2012-12-26

[8]

一种MOSFET封装结构及功率半导体器件 [P].

方绍明 ;

陈勇 ;

张传发 ;

曾伟 .

中国专利 :CN223665454U ,2025-12-12

[9]

一种功率MOSFET双芯片封装结构 [P].

党晓军 ;

董建新 ;

衷世雄 .

中国专利 :CN221008945U ,2024-05-24

[10]

功率半导体封装体及其制造方法 [P].

谢智正 ;

冷中明 .

中国专利 :CN103515370A ,2014-01-15

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