功率半导体封装体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210212518.2

申请日：

2012-06-21

公开(公告)号：

CN103515370A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

谢智正冷中明

申请人：

申请人地址：

中国台湾新北市汐止区工建路368号12楼

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

H01L2336 H01L23488 H01L2158

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754610380 IPC(主分类):H01L 25/16 专利申请号:2012102125182 申请公布日:20140115
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571926687 IPC(主分类):H01L 25/16 专利申请号:2012102125182 申请日:20120621
2014-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P].

J·纳拉亚纳萨米 ;

S·阿布德哈米德 ;

庄铭浩 ;

M·R·戈多伊 ;

蓝志民 ;

A·R·穆罕默德 ;

S·K·穆鲁甘 ;

T·施特克 .

中国专利 :CN114420575A ,2022-04-29

[2]

功率半导体封装体及其应用 [P].

J·科西察 ;

H·吉特尔 ;

H·许贝尔 ;

M·伦茨 .

中国专利 :CN107154396B ,2017-09-12

[3]

功率半导体封装件及其制造方法 [P].

张范植 ;

赵俊亨 ;

韩京昊 ;

朱龙辉 ;

李硕浩 .

中国专利 :CN106158843A ,2016-11-23

[4]

功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P].

林维安 ;

P·A·A·卡洛 ;

谢丁顺 ;

张翠薇 ;

S·K·穆鲁甘 ;

沈盈博 ;

陈志文 .

中国专利 :CN112420629A ,2021-02-26

[5]

功率半导体封装及其制造方法 [P].

M·贝姆 ;

S·韦策尔 ;

A·格拉斯曼 ;

B·施默尔泽 ;

U·申德勒 .

:CN118016625A ,2024-05-10

[6]

功率半导体封装及其制造方法 [P].

许志祥 ;

龙涛 ;

黄品豪 ;

陈芃君 .

美国专利 :CN120435015A ,2025-08-05

[7]

半导体封装体及其相关制造方法 [P].

S·施瓦布 ;

D·I·雷诺索 ;

G·韦特里韦尔佩里亚萨米 .

德国专利 :CN120834009A ,2025-10-24

[8]

半导体封装体及其制造方法 [P].

卿恺明 ;

叶书伸 ;

陈见宏 ;

游辉昌 ;

郑幼敏 .

中国专利 :CN113921474B ,2025-10-17

[9]

半导体封装体及其制造方法 [P].

黄则尧 .

中国专利 :CN113594135B ,2024-09-17

[10]

半导体封装体及其制造方法 [P].

宫川健志 ;

纪元德 ;

石原庸介 .

中国专利 :CN106415822B ,2017-02-15

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