功率半导体封装及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311493520.6
申请日
2023-11-09
公开(公告)号
CN118016625A
公开(公告)日
2024-05-10
发明(设计)人
M·贝姆 S·韦策尔 A·格拉斯曼 B·施默尔泽 U·申德勒
申请人
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址
奥地利菲拉赫
IPC主分类号
H01L23/495
IPC分类号
H01L23/31 H01L21/56 H01L21/60
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
舒雄文
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体封装及其制造方法 [P]. 
许志祥 ;
龙涛 ;
黄品豪 ;
陈芃君 .
美国专利 :CN120435015A ,2025-08-05
[2]
半导体封装、功率半导体模块及制造方法 [P]. 
塞巴斯蒂安·贝索尔德 ;
马克·拉施 .
德国专利 :CN120199735A ,2025-06-24
[3]
功率半导体封装结构及其制造方法 [P]. 
曾剑鸿 ;
洪守玉 .
中国专利 :CN102593108B ,2012-07-18
[4]
功率半导体封装件及其制造方法 [P]. 
张范植 ;
赵俊亨 ;
韩京昊 ;
朱龙辉 ;
李硕浩 .
中国专利 :CN106158843A ,2016-11-23
[5]
半导体封装、功率模块及其制造方法 [P]. 
周辉星 ;
S·K·穆尼拉提南 .
:CN120164875A ,2025-06-17
[6]
功率半导体封装体及其制造方法 [P]. 
谢智正 ;
冷中明 .
中国专利 :CN103515370A ,2014-01-15
[7]
半导体封装及其制造方法 [P]. 
薛彦迅 .
加拿大专利 :CN112151462B ,2024-06-07
[8]
半导体封装及其制造方法 [P]. 
赵应山 ;
T·纳耶夫 ;
P·帕尔姆 .
中国专利 :CN113257678A ,2021-08-13
[9]
半导体封装及其制造方法 [P]. 
赵应山 ;
T·纳耶夫 ;
P·帕尔姆 .
德国专利 :CN113257678B ,2025-03-04
[10]
半导体封装及其制造方法 [P]. 
薛彦迅 .
中国专利 :CN112151462A ,2020-12-29