半导体封装、功率半导体模块及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411862967.0

申请日：

2024-12-17

公开(公告)号：

CN120199735A

公开(公告)日：

2025-06-24

发明(设计)人：

塞巴斯蒂安·贝索尔德马克·拉施

申请人：

采埃孚股份公司

申请人地址：

德国

IPC主分类号：

H01L23/373

IPC分类号：

H01L23/488 H01L23/49 H01L21/50 H01L21/66 H02M1/00 H02M7/00

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李骥;韩毅

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块 [P].

中村宏之 .

中国专利 :CN109712969A ,2019-05-03

[2]

功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法 [P].

柳春雷 ;

N·舒尔茨 ;

S·基辛 .

中国专利 :CN102646667A ,2012-08-22

[3]

半导体封装、半导体模块、半导体装置及半导体封装制造方法 [P].

安川浩永 ;

重田博幸 .

日本专利 :CN119948628A ,2025-05-06

[4]

功率半导体模块和制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿尔特豪斯 ;

A·格罗夫 ;

C·利布尔 .

德国专利 :CN119208305A ,2024-12-27

[5]

功率半导体模块以及功率半导体模块的制造方法 [P].

久米贵史 ;

志村隆弘 ;

松下晃 ;

藤野伸一 ;

高木佑辅 .

中国专利 :CN106415835A ,2017-02-15

[6]

功率半导体模块制备方法及功率半导体模块 [P].

杜若阳 ;

吕镇 ;

郭朝阳 ;

武伟 ;

吴炳智 .

中国专利 :CN114334674A ,2022-04-12

[7]

功率半导体模块及功率半导体模块组 [P].

朱楠 ;

徐贺 ;

史经奎 ;

邓永辉 ;

梅营 .

中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04

[8]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

M·路德维希 .

中国专利 :CN113690192A ,2021-11-23

[9]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿伦斯 ;

J·赫格尔 ;

M·霍伊 .

中国专利 :CN104517952B ,2015-04-15

[10]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

E·菲尔古特 ;

M·格鲁贝尔 ;

O·霍尔菲尔德 ;

M·莱杜特克 .

中国专利 :CN107871672B ,2018-04-03

← 1 2 3 4 5 →